Modelirowanie osnownyh parametrow netradicionnyh MOP-tranzistorow

В этой книге методы каналообразования и затворного инжиниринга объединены для формирования новых структур приборов, предложенных в качестве МОП-транзисторов с одногалоидным двойным материальным затвором (SHDMG) и двухгалоидным двойным материальным затвором (DHDMG). Современные МОП-транзисторы неравномерно легированы в результате сложного технологического процесса. Поэтому одним из ключевых факторов для точного моделирования характеристических параметров является моделирование неравномерного профиля легирования. В книге также представлены аналитические модели подпорогового поверхностного потенциала, порогового напряжения, тока стока и транскондуктивности на основе теории дрейфа-диффузии для n-МОП-транзисторов с линейным и гауссовым профилем на основе SHDMG и DHDMG, работающих в режиме до 40 нм. Также предложена аналитическая модель подпорогового тока стока на основе квазиферми-потенциала для линейного, а также гауссового профилей SHDMG и DHDMG МОП-транзисторов, учитывающая фрингинговые &#